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2SA1135

更新时间： 2024-02-21 08:51:44

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1135 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SA1135 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1135

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=-25mA ;I_B=0

-80

I_C=-2A; I_B=-0.2A

V_CB=-80V; I_E=0

V_EB=-6V; I_C=0

-1.0

I_EBO

h_FE

DC current gain

I_C=-1A ; V_CE=-4V

I_E=0.2A ; V_CE=-10V

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_r

t_stg

t_f

Rise time

1.0

0.4

μs

I_C=-2A ; V_CC=-6V

I_B1=-I_B2=-0.3A;R_L=3Ω

Storage time

Fall time

0.15

123

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