2SA1121SBTL

更新时间： 2024-02-26 10:03:31

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瑞萨 - RENESAS		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	65K
描述
500mA, 35V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

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2SA1121SBTL 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz

2SA1121SBTL 数据手册

2SA1121

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0636-0200

(Previous ADE-208-1008)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SC2618

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

–35

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–35

–4

–500

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 4

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2SA1121SBUR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3
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