Datasheet > 2SA1085E

2SA1085E

更新时间： 2024-01-20 13:48:32

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	42K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1085E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1085E 数据手册

2SA1083, 2SA1084, 2SA1085

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

Contours of Constant Noise Figure (1)

100

_CE= –6 V

I_E= 0

f = 1 MHz

f = 1 kHz

1.0

NF = 0.5 dB

0.3

0.1

0.03

0.01

–0.01–0.03 –0.1 –0.3 –1.0 –3 –10 –30 –100

–0.5 –1.0 –2

–5 –10 –20

–50

Collector Current I_C(mA)

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Contours of Constant Noise Figure (2)

Contours of Constant Noise Figure (3)

100

V_CE= –6 V

f = 120 Hz

V_CE= –6 V

f = 10 Hz

NF = 0.5 dB

1.0

NF = 0.5 dB

1 2 4 6 10

0.3

0.1

0.3

0.1

2 4 6

0.03

0.01

0.03

0.01

–0.01–0.03 –0.1 –0.3 –1.0 –3 –10 –30 –100

Collector Current I_C(mA)

1...3 4 567 8

下载PDF

与2SA1085E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1085-E	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1085-E	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SA1085E-E	RENESAS	100mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1085ERF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1085ERF	RENESAS	100mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1085ERR	RENESAS	100mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格