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2SA1082

更新时间： 2024-01-29 01:24:15
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 78K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SA1082 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.62最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

2SA1082 数据手册

  
2SA1082  
-0.1 A , -120 V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
TO-92  
Low Frequency Amplifier  
G
H
Emitter  
Collector  
Base  
CLASSIFICATION OF hFE  
J
Product-Rank  
2SA1082-D  
2SA1082-E  
400-800  
A
D
Range  
250-500  
Millimeter  
REF.  
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
B
A
B
C
D
E
F
K
E
G
H
J
1.27 TYP.  
C
F
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-120  
-120  
-5  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
-0.1  
400  
312  
A
PC  
mW  
Thermal Resistance From Junction to Ambient  
Junction, Storage Temperature  
RθJA  
TJ, TSTG  
°C / W  
°C  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-120  
-
-
V
V
IC= -0.01mA, IE=0  
IC= -1mA, IB=0  
-120  
-
-
-
-5  
-
-
V
IE= -0.01mA, IC=0  
VCB= -50 V, IE=0  
VEB= -2 V, IC=0  
-
-0.1  
-0.1  
800  
-0.2  
-
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
-
DC Current Gain  
hFE  
250  
-
VCE= -12V, IC= -2mA  
IC= -10mA, IB= -1mA  
VCE= -12V, IC= -2mA  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
VCE(sat)  
VBE  
-
-
-
-
-
V
V
-0.6  
90  
3.5  
Transition Frequency  
fT  
-
MHz VCE= -12V, IC= -2mA  
pF VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
Collector Output Capacitance  
Cob  
-
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
13-Jan-2011 Rev. A  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1082D ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1082DRF RENESAS

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 		暂无描述
2SA1082DRF HITACHI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SA1082DRR HITACHI

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 		暂无描述
2SA1082DRR RENESAS

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 		100mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SA1082E ETC

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