Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002W-7-F

2N7002W-7-F

更新时间： 2024-01-08 05:39:13

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	274K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7002W-7-F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.63
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002W-7-F 数据手册

Typical Performance Characteristics

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. On-Resistance Variation with Gate

Voltage and Drain Current

3.0

1.6

V_GS= 3V

4.5V

V_GS= 10V

1.4

2.5

2.0

1.5

1.0

1.2

1.0

0.8

0.6

10V

0.4

0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

150

I_D. DRAIN-SOURCE CURRENT(A)

V_DS. DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. On-Resistance Variation with

Temperature

Figure 4. On-Resistance Variation with

Gate-Source Voltage

3.0

V_GS= 10V

I_D= 500 mA

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

2.5

I_D= 500 mA

2.0

I_D= 50 mA

1.5

1.0

-50

100

T_J. JUNCTION TEMPERATURE(^oC)

V_GS. GATE-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics

Figure 6. Gate Threshold Variation with

Temperature

2.5

1.0

T_J= -25^oC

V_DS= 10V

V_GS= V_DS

150^oC

0.8

25^oC

2.0

1.5

1.0

125^oC

0.6

I_D= 1 mA

75^oC

I_D= 0.25 mA

0.4

0.2

0.0

-50

100

150

T_J. JUNCTION TEMPERATURE(^oC)

V_GS. GATE-SOURCE VOLTAGE (V)

2N7002W Rev. A

www.fairchildsemi.com

1 234 5 6

下载PDF

与2N7002W-7-F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002W-G	COMCHIP	MOSFET	获取价格
2N7002WG-AL3-R	UTC	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N7002WL-AL3-R	UTC	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N7002WT1	WILLAS	Small Signal MOSFET 115 mA, 60 V	获取价格
2N7002WT1G	ONSEMI	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70	获取价格
2N7002WT3G	ONSEMI	310mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN	获取价格