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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.25 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6111_03 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N611116 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N611116A | MOTOROLA |
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7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6111-6200 | RENESAS |
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7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6111-6203 | RENESAS |
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7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6111-6204 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AA, Plasti |
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| 2N6111-6206 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AA, Plasti |
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| 2N6111-6226 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6111-6258 | RENESAS |
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7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6111-6261 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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