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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6109
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2N6109

更新时间： 2024-02-09 05:29:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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2N6109 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：40 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2N6109 数据手册

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2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292  
V
CC  
+ā30 V  
2.0  
1.0  
T
= 25°C  
= 30 V  
J
25 µs  
R
C
V
CC  
I /I = 10  
0.7  
+11 V  
0
C B  
SCOPE  
0.5  
R
B
0.3  
0.2  
t
D
1
51  
r
-ā9.0 V  
0.1  
0.07  
0.05  
-ā4 V  
t , t ≤ 10 ns  
f
DUTY CYCLE = 1.0%  
r
t
d
@ V ≈ 5.0 V  
BE(off)  
R
B
and R ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
C
0.03  
0.02  
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:  
1N5825 USED ABOVE I ≈ 100 mA  
B
0.07 0.1  
0.2 0.3  
0.5  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0  
MSD6100 USED BELOW I ≈ 100 mA  
B
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
1.0  
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.2  
0.3  
0.2  
0.1  
0.05  
0.1  
0.07  
0.05  
P
(pk)  
Z
= r(t) R  
θJC(t)  
θJC  
θJC  
R
= 3.125°C/W MAX  
D CURVES APPLY FOR POWER  
PULSE TRAIN SHOWN  
0.02  
t
1
0.03  
0.02  
READ TIME AT t  
1
T
t
2
0.01  
- T = P  
C
Z
(t)  
J(pk)  
(pk) θJC  
DUTY CYCLE, D = t /t  
1 2  
SINGLE PULSE  
0.01  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
t, TIME (ms)  
5.0  
10  
20  
50  
100  
200  
500  
1.0 k  
Figure 4. Thermal Response  
15  
10  
There are two limitations on the power handling ability of  
a transistor: average junction temperature and second  
0.1 ms  
0.5 ms  
7.0  
5.0  
breakdown. Safe operating area curves indicate I – V  
C
CE  
limits of the transistor that must be observed for reliable  
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater  
dissipation than the curves indicate.  
dc  
3.0  
2.0  
0.1  
ms  
The data of Figure 5 is based on T  
variable depending on conditions. Second breakdown pulse  
= 150_C; T is  
J(pk)  
C
CURRENT LIMIT  
SECONDARY  
1.0  
0.7  
0.5  
limits are valid for duty cycles to 10% provided T  
J(pk)  
may be calculated from the data in  
Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will  
reduce the power that can be handled to values less than the  
limitations imposed by second breakdown.  
BREAKDOWN LIMIT  
THERMAL LIMIT  
5.0 ms  
v 150_C.  
T
J(pk)  
0.3  
0.2  
@ T = 25°C (SINGLE PULSE)  
C
0.15  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
20 30  
50 70 100  
V , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area  
http://onsemi.com  
4
12345678

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