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2N6107DW

更新时间： 2024-02-29 02:11:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 97K
描述
7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6107DW 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：70 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：2.3JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2N6107DW 数据手册

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2N6107, 2N6109, 2N6111 (PNP), 2N6288, 2N6292 (NPN)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted) (Note 2)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
2N6111, 2N6288  
2N6109  
2N6107, 2N6292  
C
B
30  
50  
70  
−
−
−
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
CEO  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
2N6111, 2N6288  
CE  
B
−
−
−
1.0  
1.0  
1.0  
(V = 40 Vdc, I = 0)  
CE  
B
2N6109  
(V = 60 Vdc, I = 0)  
CE  
B
2N6107, 2N6292  
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V = 40 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
CE  
EB(off)  
2N6111, 2N6288  
−
−
−
−
−
−
100  
100  
100  
2.0  
2.0  
2.0  
mAdc  
(V = 60 Vdc, V  
CE  
EB(off)  
2N6109  
(V = 80 Vdc, V  
CE  
EB(off)  
2N6107, 2N6292  
(V = 30 Vdc, V  
2N6111, 2N6288  
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
CE  
EB(off)  
C
mAdc  
(V = 50 Vdc, V  
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
CE  
EB(off)  
C
2N6109  
(V = 70 Vdc, V  
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
CE  
EB(off)  
C
2N6107, 2N6292  
Emitter Cutoff Current  
I
mAdc  
−
EBO  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
−
1.0  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS (Note 3)  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 2.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
C
CE  
2N6107, 2N6292  
(I = 2.5 Adc, V = 4.0 Vdc)  
30  
30  
30  
2.3  
150  
150  
150  
−
C
CE  
2N6109  
(I = 3.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
C
CE  
2N6111, 2N6288  
(I = 7.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
C
CE  
All Devices  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
(I = 7.0 Adc, I = 3.0 Adc)  
−
−
3.5  
3.0  
C
B
Base−Emitter On Voltage  
(I = 7.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain − Bandwidth Product (Note 4)  
f
T
MHz  
(I = 500 mAdc, V = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
2N6288, 2N6292  
2N6107, 2N6109, 2N6111  
C
CE  
test  
4.0  
10  
−
−
Output Capacitance  
C
pF  
−
ob  
(V = 10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
−
250  
−
CB  
E
Small−Signal Current Gain  
(I = 0.5 Adc, V = 4.0 Vdc, f = 50 kHz)  
h
fe  
20  
C
CE  
2. Indicates JEDEC Registered Data.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
4. f = |h | • f  
T
fe  
test  
http://onsemi.com  
2
 
12345

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