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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6044BA
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2N6044BA

更新时间： 2024-02-03 10:48:45
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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2N6044BA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：75 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2N6044BA 数据手册

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2N6040 2N6042 2N6043 2N6045  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
2N6040, 2N6043  
2N6042, 2N6045  
60  
100  
–
–
C
B
Collector Cutoff Current  
I
µA  
µA  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N6040, 2N6043  
2N6042, 2N6045  
–
–
20  
20  
B
= 100 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
BE(off)  
= 100 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
BE(off)  
BE(off)  
BE(off)  
2N6040, 2N6043  
2N6042, 2N6045  
2N6040, 2N6043  
2N6041, 2N6044  
2N6042, 2N6045  
–
–
–
–
–
20  
20  
200  
200  
200  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
C
C
C
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
BE(off)  
Collector Cutoff Current  
I
µA  
CBO  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N6040, 2N6043  
2N6042, 2N6045  
–
20  
E
(V  
CB  
= 100 Vdc, I = 0)  
–
–
E
20  
Emitter Cutoff Current (V  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
2.0  
mAdc  
–
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 4.0 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
2N6040, 2N6043,  
2N6042, 2N6045  
All Types  
1000  
1000  
100  
20.000  
20,000  
–
C
CE  
CE  
CE  
(I = 3.0 Adc, V  
C
(I = 8.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 4.0 Adc, I = 16 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
BE(sat)  
2N6040, 2N6043,  
2N6042, 2N6045  
All Types  
–
–
–
2.0  
2.0  
4.0  
C
B
(I = 3.0 Adc, I = 12 mAdc)  
C
C
B
B
(I = 8.0 Adc, I = 80 Adc)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 8.0 Adc, I = 80 mAdc)  
V
–
–
4.5  
2.8  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 4.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Small Signal Current Gain (I = 3.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
|h  
fe  
|
4.0  
–
CE  
Output Capacitance  
2N6040/2N6042  
2N6043/2N6045  
C
–
–
300  
200  
pF  
–
ob  
(V  
CB  
= 10 Vdc, I = 0, f = 0.1 MHz)  
E
Small–Signal Current Gain (I = 3.0 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
300  
–
CE  
fe  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
5.0  
t
s
3.0  
2.0  
V
CC  
-ā30 V  
R
D
& R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
C
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:  
B
1
t
f
ă1N5825 USED ABOVE I ≈ 100 mA  
B
1.0  
R
C
SCOPE  
ăMSD6100 USED BELOW I ≈ 100 mA  
B
0.7  
0.5  
TUT  
V
2
approx  
+ā8.0 V  
R
B
0.3  
0.2  
t
r
D
V
= 30 V  
1
≈ 8.0 k  
CC  
I /I = 250  
51  
≈Ă120  
0
C B  
B1 B2  
= 25°C  
I
= I  
V
1
+ā4.0 V  
0.1  
0.07  
0.05  
approx  
-12 V  
T
J
PNP  
NPN  
25 µs  
t
@ V  
= 0 V  
d
BE(off)  
for t and t , D is disconnected  
d
r
1
and V = 0  
2
t , t ≤ 10 ns  
r f  
DUTY CYCLE = 1.0%  
0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7 1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
For NPN test circuit reverse all polarities and D1.  
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Times Equivalent Circuit  
Figure 3. Switching Times  
http://onsemi.com  
2
12345678

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