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2N5599

更新时间： 2024-01-23 22:17:41

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3页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5599 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.31
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2N5599 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5597 2N5599 2N5601 2N5603

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-60

TYP.

MAX

UNIT

2N5597

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

2N5599/5601 I_C=-50mA ;I_B=0

2N5603

-80

-100

V_CEsat

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=-1A; I_B=-0.1A

-1.0

-1.5

-0.1

-1.0

-0.1

200

V_BE

I_C=-1A ; V_CE=-5V

V_CB=Rated V_CBO; I_E=0

V_CE= Rated V_CEO,I_B=0

V_EB=-5V; I_C=0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

2N5597/5601

DC current gain

h_FE

I_C=-1A ; V_CE=-5V

2N5599/5603

2N5597/5601

Transition frequency

f_T

I_C=-0.5A ; V_CE=-10V

MHz

2N5599/5603

123

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