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2N5461_L99Z

更新时间： 2024-11-27 14:23:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	108K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5461_L99Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	2 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5461_L99Z 数据手册

MMBF5460

MMBF5461

MMBF5462

2N5460

2N5461

2N5462

TO-92

SOT-23

Mark: 6E / 61U / 61V

NOTE: Source & Drain

are interchangeable

P-Channel General Purpose Amplifier

This device is designed primarily for low level audio and general

purpose applications with high impedance signal sources. Sourced

from Process 89.

Absolute Maximum Ratings*

TA= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DG

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Forward Gate Current

- 40

V_GS

I_GF

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J,T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5460-5462

*MMBF5460-5462

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

350

2.8

125

225

1.8

mW/°C

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

2N5460/5461/5462/MMBF5460/5461/5462, Rev

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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2N5461_L99Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5461	FAIRCHILD	完全替代	P-Channel General Purpose Amplifier
2N5460	FAIRCHILD	完全替代	P-Channel General Purpose Amplifier
2N5460G	ONSEMI	功能相似	JFET Amplifier P−Channel − Depletion

与2N5461_L99Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5461APM	CENTRAL	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,
2N5461APMLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,
2N5461D74Z	FAIRCHILD	获取价格	P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, TO-92, 3 PIN
2N5461D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,
2N5461G	ONSEMI	获取价格	JFET Amplifier P−Channel − Depletion
2N5461J05Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,
2N5461J18Z	TI	获取价格	P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5461L	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
2N5461L-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
2N5461LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,

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