2N5434E

更新时间： 2024-02-14 01:39:14

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关
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6页	74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AC

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2N5434E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JEDEC-95代码：	TO-206AC
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5434E 数据手册

2N5432/5433/5434

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

Common Gate Input Admittance

Common Gate Forward Admittance

100

–g

= 25_C

= 20 mA

= 25_C

_DG= 20 V

I_D= 20 mA

0.1

100

f – Frequency (MHz)

Common Gate Reverse Admittance

Common Gate Output Admittance

100

= 25_C

_DG= 20 V

_D= 20 mA

1.0

–g

–b

0.1

0.01

0.1

100

f – Frequency (MHz)

100

f – Frequency (MHz)

V_DD

SWITCHING TIME TEST CIRCUIT

2N5432

2N5433

2N5434

OUT

–12 V

145 ꢀ

10 mA

–12 V

143 ꢀ

10 mA

–12 V

140 ꢀ

10 mA

GS(L)

V_GS(H)

R *

D(on)

GS(L)

1 kΩ

51 Ω

Scope

*Non-inductive

INPUT PULSE

SAMPLING SCOPE

Rise Time < 1 ns

Fall Time < 1 ns

Pulse Width 100 ns

PRF 1 MHz

Rise Time 0.4 ns

Input Resistance 10 Mꢀ

Input Capacitance 1.5 pF

Document Number: 70245

S-04028—Rev. F, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-5

1 2 3 456

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