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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5365 | GE | SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5365 | NJSEMI | SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091 |
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| 2N5365 | ALLEGRO | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), PNP, |
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| 2N5365 | NSC | TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-98 |
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| 2N5366 | CENTRAL | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
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| 2N5366 | GE | SILICON TRANSISTORS |
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