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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.48 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-72 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5362 | INTERFET | N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N5362 | VISHAY | Transistor, |
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| 2N5362 | NJSEMI | GENERAL PURPOSE AMPS |
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| 2N5363 | INTERFET | N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N5363 | NJSEMI | GENERAL PURPOSE AMPS |
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| 2N5363 | VISHAY | Transistor, |
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