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2N5327

更新时间: 2024-09-23 20:33:19
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 60K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

2N5327 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.82
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:80 V最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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