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2N5327

更新时间: 2024-01-19 08:02:21
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

2N5327 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65最大集电极电流 (IC):10 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2N5327 数据手册

  

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