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2N5333LEADFREE

更新时间： 2024-01-10 00:58:19

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CENTRAL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	149K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3

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2N5333LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	1 V

2N5333LEADFREE 数据手册

Central

2N5333

Semiconductor Corp.

PNP SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5333 is

a PNP Silicon Power Transistor manufactured

by the epitaxial planar process, mounted in a

hermetically sealed metal case, designed for

amplifier and switching applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-39 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

CBO

CEO

EBO

6.0

Continuous Collector Current

2.0

Peak Collector Current (t < 0.3ms)

5.0

Continuous Base Current

1.0

Power Dissipation (T =25°C)

1.0

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

stg

-65 to +200

175

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

=90V

500

μA

CES

CEO

EBO

=50V (T =150°C)

μA

=40V

=4.0V

=6.0V

1.0

100

I =30mA

CEO

CE(SAT)

BE(ON)

I =1.0A, I =100mA

0.45

1.0

I =2.0A, I =400mA

=4.0V, I =2.0A

1.5

=4.0V, I =1.0A

120

=4.0V, I =2.0A

=10V, I =1.0A, f=1KHz

=10V, I =1.0A

MHz

I =1.0A, I =I =100mA

150

450

off

B1 B2

}

{

=3.7V, R =20Ω

BE(OFF)

R0 (25-September 2008)

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