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2N5089RLRAG

更新时间： 2024-01-24 11:30:49
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 84K
描述
50mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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2N5089RLRAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

2N5089RLRAG 数据手册

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2N5088, 2N5089  
Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available*  
3 COLLECTOR  
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
BASE  
Collector − Emitter Voltage  
V
V
V
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
2N5088  
2N5089  
30  
25  
1 EMITTER  
Collector − Base Voltage  
Vdc  
MARKING  
DIAGRAM  
2N5088  
2N5089  
35  
30  
Emitter − Base Voltage  
3.0  
50  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
2N  
508x  
AYWW G  
G
TO−92  
CASE 29  
STYLE 1  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
D
Derate above 25°C  
1
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
1.5  
12  
W
mW/°C  
2
C
3
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
2N508x = Device Code  
x = 8 or 9  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
Unit  
WW  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
200  
°C/W  
q
JA  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
83.3  
°C/W  
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
†
Device  
Package  
Shipping  
2N5088  
TO−92  
5000 Units/Box  
5000 Units/Box  
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
q
2N5088G  
TO−92  
(Pb−Free)  
JA  
2N5088RLRA  
TO−92  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2N5088RLRAG  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N5089  
TO−92  
5000 Units/Box  
5000 Units/Box  
2N5089G  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N2089RLRA  
TO−92  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2N2089RLRAG  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N2089RLRE  
TO−92  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2N2089RLREG  
TO−92  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 3  
2N5088/D  
 
12345

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与2N5089RLRAG相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N5089RLRE MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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2N5089RLREG ONSEMI 50mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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