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2N4857JAN

更新时间： 2024-02-04 23:01:33
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
N-Channel JFETs

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2N4857JAN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.22
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏源导通电阻：40 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N4857JAN 数据手册

 浏览型号2N4857JAN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N4857JAN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N4857JAN的Datasheet PDF文件第4页 
2N4856JAN/JANTX/JANTXV Series  
Vishay Siliconix  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Gate-Drain, Gate-Source Voltage :  
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C  
a
(2N4856-58) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40 V  
(2N4859-61) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30 V  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1800 mW  
Notes  
1
a. Derate 10.3 mW/_C to T > 25_C  
Lead Temperature ( / ” from case for 10 seconds) . . . . . . . . . . . . . . 300 _C  
C
16  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C  
SPECIFICATIONS FOR 2N4856, 2N4857 AND 2N4858 (T = 25_C UNLESS NOTED)  
A
Limits  
2N4856  
2N4857  
2N4858  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Typa Min Max Min Max Min Max Unit  
Static  
Gate-Source  
Breakdown Voltage  
V
I
G
= –1 mA , V = 0 V  
–55  
–40  
–40  
–40  
(BR)GSS  
DS  
V
Gate-Source Cutoff Voltage  
V
V
= 15 V, I = 0.5 nA  
–4  
–10  
175  
–2  
–6  
–0.8  
–4  
80  
GS(off)  
DS  
D
b
Saturation Drain Current  
I
V
= 15 V, V = 0 V  
50  
20  
100  
8
mA  
pA  
nA  
DSS  
DS  
GS  
GS  
V
= –20 V, V = 0 V  
–5  
–13  
–5  
–250  
–500  
–250  
–500  
–250  
–500  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
T
A
= 150_C  
c
Gate Operating Current  
I
G
V
= 15 V, I = 10 mA  
DG D  
pA  
nA  
V
= 15 V, V = –10 V  
5
250  
500  
250  
500  
250  
500  
0.5  
DS  
GS  
Drain Cutoff Current  
I
D(off)  
T
A
= 150_C  
13  
I
= 5 mA  
= 10 mA  
= 20 mA  
0.25  
0.35  
0.5  
D
I
I
0.5  
40  
Drain-Source On-Voltage  
V
V
= 0 V  
V
D
D
DS(on)  
GS  
0.75  
25  
c
Drain-Source On-Resistance  
r
V
= 0 V, I = 1 mA  
60  
W
DS(on)  
GS  
D
Gate-Source  
Forward Voltage  
V
I
G
= 1 mA , V = 0 V  
0.7  
V
GS(F)  
DS  
c
Dynamic  
Common-Source  
Forward Transconductance  
g
6
25  
7
mS  
fs  
c
V
= 20 V, I = 1 mA  
D
f = 1 kHz  
DG  
Common-Source  
Output Conductance  
g
mS  
os  
iss  
rss  
c
Common-Source  
Input Capacitance  
C
18  
8
18  
8
18  
8
V
= 0 V, V = –10 V  
DS  
DG  
GS  
pF  
f = 1 MHz  
Common-Source  
Reverse Transfer Capacitance  
C
3
Equivalent Input  
V
= 10 V, I = 10 mA  
D
f = 1 kHz  
nV⁄  
√Hz  
e
3
n
c
Noise Voltage  
Switching  
t
2
2
6
3
6
4
10  
10  
d(on)  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
V
= 10 V, V  
See Switching Circuit  
= 0 V  
DD  
GS(H)  
t
r
ns  
t
13  
25  
50  
100  
OFF  
Document Number: 70244  
S-04028—Rev. C, 04-Jun-01  
www.vishay.com  
7-2  
1234

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