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2N4012

更新时间: 2024-01-21 06:50:21
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 102K
描述
HIGH-POWER SILICON N-P-N TRANSISTOR

2N4012 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):6
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):11 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):350 MHz
Base Number Matches:1

2N4012 数据手册

  

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