是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.88 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 60 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.36 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 300 MHz |
最大关闭时间(toff): | 60 ns | 最大开启时间(吨): | 35 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4014PBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
2N4014R | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 50V 3-Pin TO-18 Box | |
2N4015 | CENTRAL |
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Dual Transistors | |
2N4015LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78 | |
2N4016 | CENTRAL |
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Dual Transistors | |
2N4016LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78 | |
2N402 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-5 | |
2N4021 | ETC |
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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | |
2N4023 | ETC |
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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | |
2N4026 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |