5秒后页面跳转
2N4023 PDF预览

2N4023

更新时间: 2024-02-14 23:45:09
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 128K
描述
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

2N4023 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A配置:Single
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.4 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

2N4023 数据手册

  

与2N4023相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N4026 SEME-LAB Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18

获取价格

2N4026 MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO

获取价格

2N4026 CENTRAL Small Signal Transistors

获取价格

2N4026LEADFREE CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,

获取价格

2N4027 SEME-LAB Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package

获取价格

2N4027 CENTRAL Small Signal Transistors

获取价格