2N3811

更新时间： 2024-01-03 20:38:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3811 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N3811 数据手册

2N3810, 2N3810L, 2N3811, 2N3811L JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

ON CHARACTERISTICS (3)

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 10 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 100 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 500 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

2N3810, 2N3810L

2N3811, 2N3811L

100

150

125

450

h_FE

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 5.0Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 100 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 500 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 100 mAdc, I_B= 10 mAdc

I_C= 1.0 mAdc, I_B= 100 mAdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 100 mAdc, I_B= 10 mAdc

I_C= 1.0 mAdc, I_B= 100 mAdc

Base-Emitter Non-Saturation Voltage

V_CE= 5.0 Adc, I_C= 100 mAdc

225

300

250

900

0.2

0.25

Vdc

V_CE(sat)

0.7

0.8

Vdc

V_BE(sat)

0.7

V_BE

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Forward Current Transfer Ratio, Magnitude

I_C= 500 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc, f = 30 MHz

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 5.0 Vdc, f = 100 MHz

Small-Signal Short Circuit Forward Current Transfer Ratio

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz

1.0

½h_fe½

h_fe

5.0

150

300

600

900

2N3810, L

2N3811, L

Small-Signal Short Circuit Input Impedance

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz

3.0

2N3810, L

2N3811, L

h_je

Small-Signal Short Circuit Output Admittance

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz

Output Capacitance

V_CB= 5.0 Vdc, I_E= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

Input Capacitance

5.0

8.0

h_oe

C_obo

C_ibo

mmhos

V_EB= 0.5 Vdc, I_C= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

Noise Figure

2N3810, L

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 100 Hz, R_G= 3.0 kW

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, R_G= 3.0 kW

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 kHz, R_G= 3.0 kW

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 Hz to 15.7 kHz, R_G= 3.0 kW

F₁

F₂

F₃

F₄

7.0

3.0

2.5

3.5

2N3811, L

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 100 Hz, R_G= 3.0 kW

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, R_G= 3.0 kW

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 kHz, R_G= 3.0 kW

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 Hz to 15.7 kHz, R_G= 3.0 kW

F₁

F₂

F₃

F₄

4.0

1.5

2.0

2.5

(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

Page 2 of 2

下载PDF

与2N3811相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3811_02	SEMICOA	Silicon PNP Transistor	获取价格
2N3811A	CENTRAL	Dual Transistors	获取价格
2N3811ADCSM	ETC	PNP	获取价格
2N3811ALEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78	获取价格
2N3811DCSM	ETC	PNP	获取价格
2N3811L	SEMICOA	Silicon PNP Transistor	获取价格

与2N3811相关文章

MAX6675资料手册参数详解、引脚配置说明
2024-05-13

5
LM258引脚图及功能介绍、主要参数分析
2024-05-13

3
CD4052资料手册参数详解、引脚配置说明
2024-05-13

5
一文带你了解TPS5430资料手册分析：参数介绍、引脚配置说明
2024-05-13

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N3811

2N3811 技术参数

2N3811 数据手册

与2N3811相关器件

与2N3811相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N3811

2N3811 技术参数

2N3811 数据手册

与2N3811相关器件

与2N3811相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？