2N3811

更新时间： 2024-02-21 16:26:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
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2页	62K
描述
PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

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2N3811 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N3811 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 336

Devices

Qualified

Level

2N3810

2N3811

JAN

2N3810L

2N3810U

2N3811L

2N3811U

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

Vdc

mAdc

One

Section ¹Sections²

0.5 0.6

-65 to +200

Both

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

⁰C

P_T

TO-78*

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 2.86 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 3.43 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

*See appendix A

for package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CBO

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

5.0

Vdc

V_(BR)

EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc

hAdc

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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