5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N3440LEADFREE
2N3440LEADFREE PDF预览

2N3440LEADFREE

更新时间： 2024-02-27 15:25:49
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 500K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

阅读下载

获取价格

2N3440LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.06
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2N3440LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N3440LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N3439  
2N3440  
www.centralsemi.com  
SILICON  
NPN TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3439 and 2N3440  
are silicon NPN transistors designed for consumer and  
industrial line-operated applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
2N3439  
450  
2N3440  
300  
UNITS  
V
A
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
350  
250  
V
V
7.0  
1.0  
0.5  
1.0  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
A
C
I
A
B
P
W
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
=360V (2N3439)  
=250V (2N3440)  
=300V (2N3439)  
=200V (2N3440)  
=6.0V  
20  
μA  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CE  
CE  
EB  
20  
20  
50  
20  
μA  
μA  
μA  
μA  
V
BV  
I =50mA (2N3439)  
350  
250  
CEO  
CEO  
C
BV  
I =50mA (2N3440)  
V
C
V
V
I =50mA, I =4.0mA  
0.5  
1.3  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =4.0mA  
V
C
B
h
h
V
=10V, I =2.0mA (2N3439)  
30  
40  
15  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
=10V, I =20mA  
160  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=5.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
10  
75  
ob  
ib  
E
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
R1 (1-May 2013)  
12

下载PDF

与2N3440LEADFREE相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N3440S SEME-LAB Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device.

获取价格
2N3440U4E3 MICROSEMI Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COM

获取价格
2N3440UA MICROSEMI NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

获取价格
2N3440UAE3 MICROSEMI Small Signal Bipolar Transistor

获取价格
2N3441 NJSEMI SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

获取价格
2N3441 COMSET SILICON POWER TRANSISTOR

获取价格

与2N3440LEADFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证