5秒后页面跳转

Datasheet > 2N3227_12

2N3227_12 PDF预览

2N3227_12

更新时间： 2022-04-19 21:07:31

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	68K
描述
SILICON ANNULAR TRANSISTORS

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3227_12 数据手册

浏览型号2N3227_12的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号2N3227_12的Datasheet PDF文件第3页

NPN 2N3227

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Symbol

I_CBO

Ratings

Test Condition(s)

Min Typ Max Unit

I_E= 0 ; V_CB= 20V

I_E= 0 ; V_CB= 20V

T_A= 150°C

-

-

-

-

0.2

50

Collector cut-off current

µA

I_CEX

I_BL

Collector cut-off curren

Base cut-off curren

Collector-Base Breakdown

voltage

Emitter-Base Breakdown

voltage

Collector-Emitter Breakdown

voltage

Collector-Emitter voltage

Collector-Emitter saturation

Voltage

V_CE= 20V ; V_EB(off)= 3V

V_CE= 20V ; V_EB(off)= 3V

-

-

-

-

0.2

0.5

BV_CBO

BV_EBO

I_C=10 µA ; I_B= 0

I_E=10 µA ; I_C= 0

I_C= 10 mA

40

6

-

-

-

-

-

-

V

V

BV_CEO

BV_CES

V_CE(SAT)

20

V

V

V

I_C=10 µA ; I_B= 0

40

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

I_C=10 mA, I_B=1.0 mA

I_C=100 m A, I_B=10 mA

I_C=10 mA, I_B=1.0 mA

I_C=100 m A, I_B=10 mA

V_CE=1.0 V, I_C=10 mA

V_CE=1.0 V, I_C=10 mA

T_A=-55°c

V_CE=1.0 V, I_C=100 mA

V_CE=10 V, I_C=10 mA

f=100MHz

I_C= I_B1= I_B2=10 mA

I_C=10 A;I_B1= 3 mA;

I_B2=1.5 mA;V_CC=3.0 V

I_C=10 A;I_B1= 3 mA

V_CC=3.0 V, V_EB(off)= 1.5

V

0.25

0.45

0.85

1.4

V_BE(SAT)

Base-Emitter saturation Voltage

V

-

100

300

40

30

5

-

-

-

-

-

-

-

h_FE

DC Current Gain

h_fe

t_S

Small Signal Current Gain

Storage time

-

-

-

13

18

T_off

Turn-off time

-

Ns

t_on

Turn-on time

-

-

12

V_CB=5

f=140kHz

V_BE=1

f=140kHz

V ;

I_E=0

,

C_ob

C_ib

Output Capacitance

Input Capacitance

-

-

-

-

4.0

4.0

pF

pF

V ;

I_C=0

,

16/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

2/3

123

下载PDF

与2N3227_12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3227UB	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	获取价格
2N3228	GE	5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS	获取价格
2N3228	NJSEMI	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081	获取价格
2N3229	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| STR-10	获取价格
2N323	ETC	alloy-junction germanium transistors	获取价格
2N3230	ETC	GERMANIUM PNP TRANSISTORS	获取价格

与2N3227_12相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证