2N2920

更新时间： 2024-02-02 23:23:00

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	289K
描述
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

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2N2920 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2920 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

Dimensions

Millimeters

Symbol

Inches

Min

.240

Max

.250

.175

.080

.039

.070

.098

.105

.055

.028

Min

6.10

Max

6.35

4.44

2.03

0.99

1.78

2.49

2.67

1.39

0.71

BL2

BW2

.165

4.19

Pin no. Transistor

.044

.026

.060

.082

.095

.045

.022

1.12

0.66

1.52

2.08

2.41

1.14

0.56

Collector no. 1

Base no. 1

Base no. 2

Collector no. 2

Emitter no. 2

Emitter no. 1

LL1

LL2

LS1

LS2

NOTES:

Dimensions are in inches.

Millimeters are given for general information only.

In accordance with AMSE Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.

FIGURE 2. Physical dimensions (2N2919U and 2N2920U) Surface mount.

T4-LDS-0202 Rev. 1 (110638)

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