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2N2907/A

更新时间: 2024-01-27 13:48:42
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其他 - ETC 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 50K
描述
PNP Switching Transistors

2N2907/A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.62Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-CDSO-N3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2N2907/A 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PNP switching transistors  
2N2907; 2N2907A  
V
B
V
C
BB  
CC  
R
R
V
(probe)  
(probe)  
o
oscilloscope  
oscilloscope  
450  
450 Ω  
R2  
V
i
DUT  
R1  
MGD624  
Vi = 9.5 V; T = 500 µs; tp = 10 µs; tr = tf 3 ns.  
R1 = 68 ; R2 = 325 ; RB = 325 ; RC = 160 .  
VBB = 3.5 V; VCC = 29.5 V.  
Oscilloscope input impedance Zi = 50 .  
Fig.2 Test circuit for switching times.  
1997 May 30  
5

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