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2N2907

更新时间： 2024-01-20 03:40:43

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雷神 - RAYTHEON		开关放大器
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2页	198K
描述
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

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2N2907 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2N2907 数据手册

2N2904

Silicon PNP Transistor

Data Sheet

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

characteristics specified at T_A= 25°C

Off Characteristics

Parameter

Symbol

V_(BR)CEOI_C= 10 mA

Test Conditions

Min

Typ

Max

Units

Volts

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Cutoff Current

Collector-Emitter Cutoff Current

Emitter-Base Cutoff Current

µA

I_CBO1

I_CBO2

I_CBO3

I_CES

V_CB= 60 Volts

V_CB= 50 Volts

V_CB= 50 Volts, T_A= 150^OC

V_CE= 40 Volts

I_EBO1

I_EBO2

V_EB= 5 Volts

V_EB= 3.5 Volts

Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

On Characteristics

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Units

h_FE1

h_FE2

h_FE3

h_FE4

h_FE5

h_FE6

I_C= 0.1 mA, V_CE= 10 Volts

I_C= 1.0 mA, V_CE= 10 Volts

I_C= 10 mA, V_CE= 10 Volts

I_C= 150 mA, V_CE= 10 Volts

I_C= 500 mA, V_CE= 10 Volts

I_C= 10 mA, V_CE= 10 Volts

T_A= -55^OC

175

120

DC Current Gain

V_BEsat1

V_BEsat2

V_CEsat1

V_CEsat2

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

1.3

2.6

0.4

1.6

Base-Emitter Saturation Voltage

Volts

Collector-Emitter Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

Parameter

Magnitude – Common Emitter, Short

Circuit Forward Current Transfer Ratio

Small Signal Short Circuit Forward

Current Transfer Ratio

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Units

V_CE= 20 Volts, I_C= 50 mA,

|h_FE|

2.0

f = 100 MHz

_CE= 10 Volts, I_C= 1 mA,

f = 1 kHz

h_FE

_CB= 10 Volts, I_C= 0 mA,

Open Circuit Output Capacitance

C_OBO

C_IBO

100 kHZ < f < 1 MHz

V_EB= 2.0 Volts, I_E= 0 mA,

100 kHZ < f < 1 MHz

Open Circuit Input Capacitance

Switching Characteristics

Saturated Turn-On Time

Saturated Turn-Off Time

t_on

300

t_off

Semicoa Semiconductors, Inc.

Rev. H

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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www.SEMICOA.com

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