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2N2222AQCSM

更新时间： 2024-01-28 04:57:07
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3页 192K
描述
QUAD SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTORS

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2N2222AQCSM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：MO-041BB
JESD-30 代码：R-CDSO-N6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2N2222AQCSM 数据手册

 浏览型号2N2222AQCSM的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N2222AQCSM的Datasheet PDF文件第3页 
QUAD SILICON PLANAR  
EPITAXIAL NPN TRANSISTORS  
2N2222AQCSM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Each Device, T = 25°C unless otherwise stated)  
A
Symbols  
Parameters  
Test Conditions  
Min. Typ  
Max. Units  
(1)  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
I
= 10mA  
= 75V  
I = 0  
B
50  
V
(BR)CEO  
C
I
V
V
I = 0  
E
10  
10  
10  
10  
10  
50  
0.3  
1.0  
1.2  
2
µA  
nA  
µA  
µA  
nA  
nA  
CBO  
CB  
= 60V  
I = 0  
E
Collector Cut-Off Current  
CB  
T
I
= 150°C  
A
V
V
V
I
= 6V  
= 4V  
= 50V  
= 0  
= 0  
EB  
EB  
CE  
C
I
Emitter Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
EBO  
I
C
I
CES  
= 150mA  
= 500mA  
= 150mA  
= 500mA  
= 0.1mA  
= 1.0mA  
= 10mA  
I = 15mA  
B
C
(1)  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
V
CE(sat)  
I
I
I
I
I
I
I = 50mA  
B
C
C
C
C
C
C
V
I = 15mA  
B
0.6  
(1)  
Base-Emitter Saturation  
Voltage  
V
BE(sat)  
I = 50mA  
B
V
V
V
T
= 10V  
= 10V  
= 10V  
50  
75  
CE  
CE  
CE  
325  
300  
100  
35  
(1)  
Forward-current transfer  
ratio  
h
FE  
= -55°C  
= 10V  
A
I
I
= 150mA  
= 500mA  
V
V
100  
30  
C
C
CE  
= 10V  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
I
= 20mA  
V
V
= 20V  
= 10V  
C
CE  
CE  
Small signal forward-current  
transfer ratio  
| h  
|
2.5  
50  
fe  
f = 100MHz  
= 1.0mA  
I
C
h
Small Signal Current Gain  
fe  
f = 1.0KHz  
= 10V  
V
I = 0  
CB  
f = 1.0MHz  
= 0.5V  
E
C
C
t
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Turn-On Time  
8
obo  
ibo  
pF  
ns  
V
I = 0  
EB  
f = 1.0MHz  
C
30  
I
I
I
I
= 150mA  
= 15mA  
V
= 30V  
C
CC  
CC  
35  
on  
B1  
= 150mA  
V
= 30V  
C
t
Turn-Off Time  
300  
off  
= - I = 15mA  
B2  
B1  
Notes  
(1) Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%  
Semelab Limited  
Telephone +44 (0) 1455 556565  
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB  
Document Number 8348  
Issue 2  
Fax +44 (0) 1455 552612  
Email: sales@semelab-tt.com  
Website: http://www.semelab-tt.com  
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