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2SK1403

更新时间: 2024-02-13 23:25:31
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日立 - HITACHI /
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9页 51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK1403 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:SC-65, TO-3P, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.44Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:1.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1403 数据手册

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2SK1403, 2SK1403A  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
TO-3P  
D
1
G
2
3
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
S

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