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2SC4132T100

更新时间： 2024-01-13 07:38:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, SC-62, 3 PIN

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2SC4132T100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：MPT3, SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.43
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.4 V

2SC4132T100 数据手册

 浏览型号2SC4132T100的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC4132T100的Datasheet PDF文件第3页 
2SC4132  
Data Sheet  
zElectrical characteristics curves  
1000  
500  
1.0  
10  
5
Ta=25°C  
Ta=25°C  
VCE=5V  
0.8  
0.6  
0.4  
2
1
200  
100  
V
CE=10V  
0.5  
50  
5V  
0.2  
0.1  
20  
10  
5
3mA  
2mA  
1mA  
0.05  
0.2  
0
0.02  
0.01  
2
1
IB=0mA  
0
0.2 0.4 0.6 0.8  
1.0 1.2 1.4 1.6  
1.8  
0.01 0.02  
0.05  
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
10  
0
1
2
3
4
5
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics  
Fig.3 DC current gain vs. collector current ( )  
Fig.1 Ground emitter output characteristics  
1000  
10  
10  
Ta=  
25°C  
I
C/I  
B=10  
VCE=5V  
500  
5
5
Ta=  
100°C  
200  
100  
2
1
2
25°C  
Ta  
=
−25°C  
25°C  
100°C  
1
−25°C  
50  
0.5  
0.5  
100°C  
V
V
BE(sat)  
20  
10  
5
0.2  
0.2  
Ta  
=
I
C
/I  
B
=5V  
0.1  
0.1  
0.05  
0.05  
−25°C  
10  
25°C  
2
1
CE(sat)  
0.02  
0.01  
0.02  
0.01  
0.01 0.02  
0.05  
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
10  
0.01 0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
5
10  
0.01 0.02  
0.05 0.1  
0.2  
0.5  
1
2
5
10  
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
Fig.4 DC current gain vs. collector current (  
)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage  
vs. collector current  
Fig.6 Collector-emitter saturation  
Base-emitter saturation  
vs. collector current  
5
1000  
Ta=25°C  
1000  
Ta  
f=1MHz  
=0A  
=25°C  
I
C Max(PULSE∗)  
V
CE=5V  
500  
2
1
500  
I
E
200  
100  
500m  
200  
100  
200m  
100m  
50  
50  
50m  
20  
10  
5
20  
10  
5
20m  
10m  
5m  
Ta=25°C  
∗Single  
2
nonrepetitive  
pulse  
2m  
1m  
2
1
1−1  
−2  
−5 −10 −20  
−50 −100 −200  
−500 −1000  
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
10 20  
50 100 200  
500  
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
10 20  
50 100  
EMITTER CURRENT : I (mA)  
E
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
Fig.9 Safe operating area  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)  
Fig.7 Gain bandwidth product vs. emitter current  
Fig.8 Collector output capacitance  
vs. collector-base voltage  
www.rohm.com  
c
2009.02 - Rev.D  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2/2  
123

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