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2SC4132T100

更新时间： 2024-01-10 18:16:01
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, SC-62, 3 PIN

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2SC4132T100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：MPT3, SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.43
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.4 V

2SC4132T100 数据手册

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Power Transistor (120V, 2A)  
2SC4132  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V)  
2) Low collector output capacitance.  
(Typ. 20pF at VCB = 10V)  
2SC4132  
4.5  
1.6  
1.5  
3) High transition frequency. (fT = 80MHz)  
4) Complements the 2SB1236.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
zPackaging specifications and hFE  
Package  
Taping  
T100  
Type  
Code  
hFE  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
2SC4132  
PQR  
hFE values are classified as follows:  
Item  
P
Q
R
hFE  
82 to 180 120 to 270 180 to 390  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
120  
120  
5
V
V
V
A
A
I
C
2
Collector current  
I
CP  
∗1  
3
0.5  
2
Collector power  
dissipation  
P
C
W
∗
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
1 Single pulse Pw = 10ms  
∗
2 When mounted on a 40 × 40 × 0.7mm ceramic board.  
∗
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
120  
120  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
C
C
= 50µA  
= 1mA  
= 50µA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
I
V
I
E
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
82  
−
1
µA  
µA  
V
V
V
CB = 100V  
I
1
EB = 4V  
Emitter cutoff current  
V
−
−
0.4  
390  
−
I
C
/I  
B
= 1A/0.1A  
= 5V/0.1A  
CE = 5V , I = −0.1A , f = 30MHz  
CB = 10V , I = 0A , f = 1MHz  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
∗
∗
−
MHz  
h
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
80  
E
Output capacitance  
Cob  
−
20  
−
pF  
E
Measured using pulse current.  
∗
www.rohm.com  
c
2009.02 - Rev.D  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/2  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC4132T100/N ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SC4132T100/NP ROHM Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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2SC4132T100/PQ ROHM 2A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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2SC4132T100/Q ROHM 2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN

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