2SB891F

更新时间： 2024-01-07 22:03:32

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	149K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB891F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB891F 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB891F

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

-32

-40

-5

TYP.

MAX

UNIT

I_C=-1mA ;I_B=0

I_C=-50μA ;I_E=0

I_E=-50μA ;I_C=0

I_C=-2.0A; I_B=-0.2A

V_CB=-20V; I_E=0

-0.5

-0.8

-1.0

390

μA

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-4V; I_C=0

h_FE

DC current gain

I_C=-0.5A ; V_CE=-3V

I_C=-0.5A ; V_CE=-5V;f=30MHz

I_E=0; f=1MHz ; V_CB=-10V

f_T

Transition frequency

100

MHz

C_OB

Collector output capacitance

h_FE-2Classifications

82-180

120-270 180-390

123

下载PDF

与2SB891F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB891F/P	ROHM	2A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN	获取价格
2SB891F/PQ	ROHM	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2SB891F/PR	ROHM	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2SB891F/Q	ROHM	2A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN	获取价格
2SB891F/QR	ROHM	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2SB891F/R	ROHM	2A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN	获取价格