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2SB649A

更新时间： 2024-01-24 06:13:05

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB649A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

2SB649A 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB649 2SB649A

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD669/669A

·High breakdown voltage V_CEO:-120/-160V

·High current -1.5A

·Low saturation voltage,excellent h_FElinearity

APPLICATIONS

·For low-frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-180

-120

-160

-5

UNIT

2SB649

2SB649A

2SB649

2SB649A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Open collector

-1.5

-3

I_CM

T_a=25℃

T_C=25℃

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB649A(TO-251)	Galaxy Microelectronics	160V,1.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	获取价格
2SB649A(TO-252)	Galaxy Microelectronics	160V,1.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	获取价格
2SB649AB	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SB649AB(SOT-89)	UTC	Transistor	获取价格
2SB649AB(TO-126)	JCST	Transistor	获取价格
2SB649AB(TO-126C)	JCST	Transistor	获取价格