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2N3823

更新时间: 2024-01-10 12:32:53
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NJSEMI 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 122K
描述
SILICON N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR

2N3823 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.72Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):2 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDSO-N3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N3823 数据手册

  

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