5秒后页面跳转
2N1986 PDF预览

2N1986

更新时间: 2024-02-06 05:51:35
品牌 Logo 应用领域
ASI 晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 384K
描述
Transistor

2N1986 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):60
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.6 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

2N1986 数据手册

 浏览型号2N1986的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N1986的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N1986的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N1986的Datasheet PDF文件第5页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与2N1986相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N1986LEADFREE CENTRAL 暂无描述

获取价格

2N1987 CENTRAL SMALL SIGNAL TRANSISTORS

获取价格

2N1987 NJSEMI Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin TO-61

获取价格

2N1987LEADFREE CENTRAL 暂无描述

获取价格

2N1988 CENTRAL SMALL SIGNAL TRANSISTORS

获取价格

2N1988 NJSEMI Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin TO-61

获取价格