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27C256-10

更新时间: 2024-01-19 20:42:59
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页数 文件大小 规格书
15页 765K
描述
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM

27C256-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:8 X 13.40 MM, VSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.62
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:13 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

27C256-10 数据手册

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MX27C256  
SWITCHING TEST CIRCUITS  
DEVICE  
UNDER  
TEST  
1.8K ohm  
+5V  
DIODES = IN3064  
OR EQUIVALENT  
CL  
6.2K ohm  
CL = 100 pF including jig capacitance(30pF for 45/55/70ns parts)  
SWITCHING TEST WAVEFORMS  
2.0V  
0.8V  
2.0V  
0.8V  
TEST POINTS  
AC driving levels  
OUTPUT  
INPUT  
AC TESTING: AC driving levels are 2.4V/0.4V for commercial grade, 3.0V/0V for industrial grade.  
Input pulse rise and fall times are < 10ns.  
1.5V  
1.5V  
TEST POINTS  
AC driving levels  
OUTPUT  
INPUT  
AC TESTING: (1) AC driving levels are 3.0V/0V for both commercial grade and industrial grade.  
Input pulse rise and fall times are < 10ns.  
(2) For MX27C256-45, MX27C256-55, MX27C256-70.  
REV.5.6, AUG. 26, 2003  
P/N:PM0203  
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