26MT60

更新时间： 2024-02-24 12:28:25

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描述
THREE PHASE BRIDGE Power Modules

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26MT60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PUFM-D5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.34
其他特性：	UL APPROVED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.26 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-D5	最大非重复峰值正向电流：	375 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

26MT60 数据手册

26MT../36MT.. Series

Bulletin I2771 rev. E 04/03

ELECTRICALSPECIFICATIONS

Voltage Ratings

Voltage

Code

V_RRM, maximum repetitive

V_RSM, maximum non-

I_RRMmax.

Type number

peak reverse voltage

repetitive peak rev. voltage

@ T_Jmax.

100

200

150

275

400

500

26MT../ 36MT..

600

725

800

900

100

120

140

160

1000

1200

1400

1600

1100

1300

1500

1700

Forward Conduction

Parameters

26MT 36MT Units Conditions

I_O

MaximumDCoutputcurrent

120^oRectConductionangle

@T_C

°C

I_FSM

Maximumpeak,one-cycle

non-repetitiveforwardcurrent

InitialT_J=T_Jmax.

360

375

300

314

635

580

450

410

475

500

t=10ms

t=8.3ms

t=10ms

t=8.3ms

Novoltage

reapplied

100%V_RRM

reapplied

Novoltage

reapplied

100%V_RRM

reapplied

400

420

InitialT_J=T_Jmax.

I²t

MaximumI²tforfusing

InitialT_J=T_Jmax.

1130

1030

800

A²s t=10ms

t=8.3ms

t=10ms

730

t=8.3ms

I²√t

MaximumI²√tforfusing

6360

0.88

1.13

7.9

11300 A²√s I²tfortimet_x=I²√tx√t_x;0.1<=t_x<=10ms,V_RRM=0V

V_{F(TO) 1}Low-levelofthresholdvoltage

V_F(TO)2High-levelofthresholdvoltage

0.86

1.03

6.3

(16.7%xπxI_F(AV)<I<πxI_F(AV)),@T_Jmax.

(I>π xI_F(AV)),@T_Jmax.

Low-levelforwardsloperesistance

High-levelforwardsloperesistance

Maximumforwardvoltagedrop

mΩ (16.7%xπxI_F(AV)<I<πxI_F(AV)),@T_Jmax.

(I> π xI_F(AV)),@T_Jmax.

5.2

5.0

V_FM

1.26

1.19

T_J=25^oC, I_FM=40A -PersingleJunction

I_RRM

V_INS

Max.DCreversecurrent

RMSisolationvoltage

100

2700

µA T_J=25^oC,perJunctionat rated V_RRM

T_J=25^oC,Allterminalshorted

f=50Hz,t=1s

www.irf.com

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