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24LC1025T-I/P

更新时间： 2024-01-20 17:40:42

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM

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24LC1025T-I/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.29	其他特性：	200 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010MDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24LC1025T-I/P 数据手册

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24LC1026E/SN	MICROCHIP	获取价格	1024K I2Cï¿½ï¿½ Serial EEPROM
24LC1026I/P	MICROCHIP	获取价格	1024K I2Cï¿½ï¿½ Serial EEPROM
24LC1026I/SM	MICROCHIP	获取价格	1024K I2Cï¿½ï¿½ Serial EEPROM
24LC1026-I/SM	MICROCHIP	获取价格	128K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8

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