Datasheet > 存储 > SRAM> 23K640-I/SN

23K640-I/SN

更新时间： 2024-02-27 08:56:00

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器
页数	文件大小	规格书
26页	346K
描述
64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

23K640-I/SN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	1.12
最长访问时间：	25 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.4 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1, (3 LINE)
端子数量：	8	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000004 A	最小待机电流：	2.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23K640-I/SN 数据手册

23A640/23K640

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(†)

Absolute Maximum Ratings

VCC.............................................................................................................................................................................4.5V

All inputs and outputs w.r.t. VSS ......................................................................................................... -0.3V to VCC +0.3V

Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C

Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C

ESD protection on all pins...........................................................................................................................................2kV

† NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those

indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an

extended period of time may affect device reliability.

TABLE 1-1:

DC CHARACTERISTICS

Industrial (I):

Automotive (E): TA = -40°C to +125°C

TA = -40°C to +85°C

DC CHARACTERISTICS

Param.

No.

Sym.

Characteristic

Min.

Typ⁽¹⁾

Max. Units

Test Conditions

D001

D002

VCC

Supply voltage

1.5

2.7

—

1.95

3.6

23A640 (I-Temp)

VCC

VIH

23K640 (I, E-Temp)

High-level input

voltage

.7 VCC

VCC

+0.3

D003

D004

D005

D006

D007

D008

VIL

Low-level input

voltage

-0.3

—

0.2xVCC

VOL

Low-level output

voltage

0.2

IOL = 1 mA

VOH

ILI

High-level output

voltage

VCC -0.5

—

IOH = -400 μA

Input leakage

current

±0.5

μA

CS = VCC, VIN = VSS OR VCC

CS = VCC, VOUT = VSS OR VCC

ILO

Output leakage

current

—

ICC Read

—

mA FCLK = 1 MHz; SO = O

mA FCLK = 10 MHz; SO = O

mA FCLK = 20 MHz; SO = O

Operating current

Standby current

D009

ICCS

—

200

500

nA CS = VCC = 1.8V, Inputs tied to VCC

or VSS

μA CS = VCC = 3.6V, Inputs tied to VCC

or VSS

μA CS = VCC = 3.6V, Inputs tied to VCC

or VSS @ 125°C

D010

D011

CINT

VDR

Input capacitance

pF VCC = 0V, f = 1 MHz, Ta = 25°C

(Note 1)

RAM data retention

voltage ⁽²⁾

—

1.2

—

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested. Typical measurements taken at room

temperature (25°C).

2: This is the limit to which VDD can be lowered without losing RAM data. This parameter is periodically

sampled and not 100% tested.

DS22126C-page 2

123 4 5 6 7...26

下载PDF

与23K640-I/SN相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
23K640-I/ST	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23K640T-E/P	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23K640T-E/SN	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23K640T-E/ST	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23K640T-I/P	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23K640T-I/SN	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

23K640-I/SN

23K640-I/SN 技术参数

23K640-I/SN 数据手册

与23K640-I/SN相关器件

与23K640-I/SN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

23K640-I/SN

23K640-I/SN 技术参数

23K640-I/SN 数据手册

与23K640-I/SN相关器件

与23K640-I/SN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？