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Datasheet > 存储 > SRAM> 23A640T-I/ST
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23A640T-I/ST

更新时间： 2024-01-27 12:23:07
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
26页 346K
描述
64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

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23A640T-I/ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：5.51Is Samacsys：N
最长访问时间：32 ns最大时钟频率 (fCLK)：10 MHz
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.4 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1, (3 LINE)
端子数量：8字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000001 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.5 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
Base Number Matches：1

23A640T-I/ST 数据手册

 浏览型号23A640T-I/ST的Datasheet PDF文件第1页浏览型号23A640T-I/ST的Datasheet PDF文件第2页浏览型号23A640T-I/ST的Datasheet PDF文件第4页浏览型号23A640T-I/ST的Datasheet PDF文件第5页浏览型号23A640T-I/ST的Datasheet PDF文件第6页浏览型号23A640T-I/ST的Datasheet PDF文件第7页 
23A640/23K640  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
Industrial (I):  
Automotive (E): TA = -40°C to +125°C  
TA = -40°C to +85°C  
AC CHARACTERISTICS  
Param.  
Sym.  
Characteristic  
Min.  
Max.  
Units  
Test Conditions  
No.  
1
2
3
4
5
6
FCLK Clock frequency  
—
—
—
—
10  
16  
16  
20  
MHz VCC = 1.5V (I-Temp)  
MHz VCC = 1.8V (I-Temp)  
MHz VCC = 3V (E-Temp)  
MHz VCC = 3.0V (I-Temp)  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
TCSS CS setup time  
TCSH CS hold time  
TCSD CS disable time  
50  
32  
32  
25  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
50  
50  
50  
50  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
50  
32  
32  
25  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
Tsu  
Data setup time  
Data hold time  
10  
10  
10  
10  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
THD  
10  
10  
10  
10  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
7
8
9
TR  
TF  
CLK rise time  
CLK fall time  
Clock high time  
—
—
2
2
us  
us  
Note 1  
Note 1  
THI  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
50  
32  
32  
25  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
11  
12  
13  
TLO  
Clock low time  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
50  
32  
32  
25  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
TCLD Clock delay time  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
50  
32  
32  
25  
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
TV  
Output valid from clock low  
VCC = 1.5V (I-Temp)  
VCC = 1.8V (I-Temp)  
VCC = 3.0V (E-Temp)  
VCC = 3.0V (I-Temp)  
—
—
—
—
50  
32  
32  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
THO  
Output hold time  
0
—
ns  
Note 1  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS22126C-page 3  
1234567...26

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