22RIA120PBF

更新时间： 2024-01-23 00:41:07

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威世 - VISHAY		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
8页	152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, 2 PIN

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22RIA120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.07	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	60 mA
JEDEC-95代码：	TO-208AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	35 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

22RIA120PBF 数据手册

22RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 22 A

Vishay High Power Products

1000

100

T = 25°C

T = 125°C

22RIA Series

0.5

1.5

Instantaneous On-state Voltage (V)

Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics

2.5

Steady State Value

= 0.86 K/W

thJC

(DC Operation)

0.1

22RIA Series

0.01

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 8 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

(1) PGM = 16W, tp = 4ms

(2) PGM = 30W, tp = 2ms

(3) PGM = 60W, tp = 1ms

(4) PGM = 60W, tp = 1ms

a) Recommended load line for

rated di/dt : 10V, 20ohms

tr <=0.5 µs, tp >= 6 µs

b) Recommended load line for

<=30%rated di/dt : 10V, 65ohms

tr<=1 µs, tp >= 6 µs

(a)

(b)

(4)

(3)

(2)

(1)

VGD

IGD

22RIA Series Frequency Limited by PG(AV)

0.1

0.001

0.01

0.1

100

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 9 - Gate Characteristics

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 93700

Revision: 19-Sep-08

1...3 4 567 8

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