22RIA120PBF

更新时间： 2024-02-25 02:28:30

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威世 - VISHAY		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
8页	152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, 2 PIN

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22RIA120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.07	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	60 mA
JEDEC-95代码：	TO-208AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	35 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

22RIA120PBF 数据手册

22RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 22 A

Vishay High Power Products

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

Conduction Angle

22RIA Series

T = 125°C

Average On-state Current (A)

Fig. 3 - On-State Power Loss Characteristics

205

100

125

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

Conduction Period

22RIA Series

T = 125°C

10 15 20 25 30 305

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 4 - On-State Power Loss Characteristics

100

125

Average On-state Current (A)

400

375

350

325

300

275

250

225

200

175

150

375

350

325

300

275

250

225

200

175

150

At Any Rated Load Condition And With

Maximum Non Repetitive Surge Current

Versus Pulse Train Duration. Control

Of Conduction May Not Be Maintained.

Rated V

Applied Following Surge.

RRM

Initial T = 125°C

@60 Hz 0.0083 s

@50 Hz 0.0100 s

No Voltage Reapplied

Rated V

Reapplied

RRM

22RIA Series

0.01

0.1

Pulse Train Duration (s)

Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

100

Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)

Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

Document Number: 93700

Revision: 19-Sep-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

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