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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.8 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 20000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 110 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 20KW110CCOX.200 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KW110CCOX.250 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KW110COX.120 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KW110COX.160 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KW110COX.200 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KW112A | MDE | GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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