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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.37 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压： | 3 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 0.85 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 50 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1SS86RF | HITACHI | 暂无描述 |
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| 1SS86RF | RENESAS | 暂无描述 |
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| 1SS86RG | RENESAS | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35 |
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| 1SS86RH | HITACHI | 暂无描述 |
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| 1SS86RH | RENESAS | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35 |
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| 1SS86TA | HITACHI | Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, DO-35 |
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