1SS86-E

更新时间： 2024-01-10 14:42:57

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瑞萨 - RENESAS		肖特基二极管微波混频二极管电视
页数	文件大小	规格书
5页	74K
描述
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35, GLASS, SC-40, 2 PIN

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1SS86-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.37
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	3 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.85 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	100 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	50 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL

1SS86-E 数据手册

1SS86

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Reverse voltage

Symbol

Value

Unit

V_R

I_O

°C

Average rectified current

Power dissipation

150

Junction temperature

Storage temperature

100

Tstg

−55 to +100

°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Forward current

Reverse current

Reverse voltage

Capacitance

Symbol

Min

Typ

Max

—

Unit

µA

Test Condition

I_F

—

V_F= 0.5 V

V_R= 0.5 V

I_R= 1 mA

I_R

—

V_R

3.0

—

0.85

—

V_R= 0.5 V, f = 1 MHz

ESD-Capability *

—

C = 200 pF, R = 0 Ω, Both forward and

reverse direction 1 pulse.

Note: Failure criterion ; I_R> 50 µA at V_R= 0.5 V

Rev.3.00 May 09, 2005 page 2 of 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS86PF	SWST	肖特基二极管	获取价格
1SS86RE	RENESAS	SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35	获取价格
1SS86RF	HITACHI	暂无描述	获取价格
1SS86RF	RENESAS	暂无描述	获取价格
1SS86RG	RENESAS	SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35	获取价格
1SS86RH	HITACHI	暂无描述	获取价格