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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1S920T26A | TI | 50V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 1S920T26R | TI | DIODE 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1S920T50A | TI | DIODE 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1S920T50R | TI | DIODE 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1S921 | NJSEMI | General Purpose Diodes |
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| 1S921T26A | TI | 100V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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