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1S50-B

更新时间： 2024-01-06 20:08:57

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN

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技术参数
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1S50-B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1S50-B 数据手册

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1S20 THRU 1S100 )

FIG. 1 - TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE

1.0

FIG. 2 - TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARCTERISTICS

.75

.50

.25

1S20

1S30

1S40

1S50

1S60

1S80

1.0

Single

Half Wave 60HZ

Resistive or

Inductive Load

0.375" (9.5mm) Lead Length

= 25

1S100

Pulse Width = 300uS

1% Duty Cycle

.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)

100

125

150

175

LEAD TEMPERATURE, (

)

FIG. 3A - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

FIG. 3B - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

1S20-1S40

= 125

1.0

= 75

= 150

0.1

.01

0.1

.01

= 125

= 75

= 25

1S50~1S60

1S80~1S100

= 25

.001

20 40

80 100 120 140

100

120

140

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)

FIG. 5 - MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT

FIG. 4 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

400

200

TJ = 25

8.3ms Single Half Sine-Wave

JEDEC Method

100

1.0

40 80

6 810

20 40

80100

REVERSE VOLTAGE, (V)

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

RECTRON

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1S50-BP	MCC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN	获取价格
1S50-E	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon,	获取价格
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