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1S2076A

更新时间: 2024-02-08 15:23:19
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 微波混频二极管
页数 文件大小 规格书
6页 30K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator

1S2076A 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.21
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:3 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:PLANAR DOPED BARRIER端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1S2076A 数据手册

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1S2076A  
Package Dimensions  
Unit: mm  
26.0 Min  
26.0 Min  
4.2 Max  
1 Cathode  
2 Anode  
1
2
Cathode band (Navy Blue)  
HITACHI Code  
JEDEC Code  
EIAJ Code  
DO-35  
DO-35  
SC-48  
0.13  
Weight (g)  
5

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1S2076A-E RENESAS SILICON, MIXER DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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