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1S2076A

更新时间： 2024-02-22 01:32:38

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日立 - HITACHI		微波混频二极管
页数	文件大小	规格书
6页	30K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator

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1S2076A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	3 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	PLANAR DOPED BARRIER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1S2076A 数据手册

1S2076A

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_FSM

I_O

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

450

150

°C

250

Junction temperature

Storage temperature

175

Tstg

–65 to +175

Note: Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

Test Condition

I_F= 10mA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

V_F

I_R

0.64

—

0.80

0.1

—

µA

V_R= 30V

—

3.0

V_R= 1V, f = 1MHz

Reverse recovery time t_rr*

—

8.0

I_F= I_R= 10mA, Irr = 1mA

Note: Reverse recovery time test circuit

Supply

3kΩ

0.1µF

Sampling

Oscilloscope

Ro = 50Ω Pulse

Rin = 50Ω

Generator

Trigger

123 4 5 6

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